창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4459ADY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4459ADY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4459ADY-T1-GE3TR SI4459ADYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4459ADY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4459ADY, SI4459ADY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | T95Z107M6R3ESSL | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2910 (7227 Metric) 400 mOhm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95Z107M6R3ESSL.pdf | |
![]() | RCL040610K0FKEA | RES SMD 10K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL040610K0FKEA.pdf | |
![]() | OP802WSL | PHOTOTRANSISTOR NPN 890NM TO-18 | OP802WSL.pdf | |
![]() | 70203-111LF | 70203-111LF FCI SMD or Through Hole | 70203-111LF.pdf | |
![]() | SK542 | SK542 SK DIP-8 | SK542.pdf | |
![]() | 21030S-080-18G | 21030S-080-18G SUYIN CONNECTO | 21030S-080-18G.pdf | |
![]() | EMG11 G11 | EMG11 G11 ZTJ SOT-553 | EMG11 G11.pdf | |
![]() | RU6101MP | RU6101MP RICOH DIP | RU6101MP.pdf | |
![]() | 5LP196 | 5LP196 TI SSOP | 5LP196.pdf | |
![]() | Z84C2006PEG Z80PIO | Z84C2006PEG Z80PIO ZILOG DIP-40 | Z84C2006PEG Z80PIO.pdf | |
![]() | K4S561632A-TC75T | K4S561632A-TC75T SAMSUNG TSOP54 | K4S561632A-TC75T.pdf |