창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4447DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4447DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 4.5A, 15V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 805pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4447DY-T1-E3TR SI4447DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4447DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4447DY, SI4447DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C3225X7R2A684M160AA | 0.68µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225X7R2A684M160AA.pdf | ||
199D685X0035D6B1E3 | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 0.236" Dia (6.00mm) | 199D685X0035D6B1E3.pdf | ||
CRCW20101R91FNEF | RES SMD 1.91 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101R91FNEF.pdf | ||
LY2NJ 220V | LY2NJ 220V NEC NULL | LY2NJ 220V.pdf | ||
MV8190 | MV8190 QT SMD or Through Hole | MV8190.pdf | ||
C1812C224Z5UAC | C1812C224Z5UAC KEMET SMD or Through Hole | C1812C224Z5UAC.pdf | ||
10013057-311200E-1 | 10013057-311200E-1 FCI SMD or Through Hole | 10013057-311200E-1.pdf | ||
75Y01 | 75Y01 MOT BGA | 75Y01.pdf | ||
ISP1582BS-T | ISP1582BS-T NXP HVQFN56 | ISP1582BS-T.pdf | ||
BTW6P-200 | BTW6P-200 ORIGINAL SMD or Through Hole | BTW6P-200.pdf | ||
SME2411BGA-66 | SME2411BGA-66 SUN BGA | SME2411BGA-66.pdf | ||
R5F72856D100FPU2 | R5F72856D100FPU2 RENESAS SMD or Through Hole | R5F72856D100FPU2.pdf |