창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4442DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4442DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4442DY-T1-E3TR SI4442DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4442DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4442DY, SI4442DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | LD035C331JAB2A | 330pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD035C331JAB2A.pdf | |
![]() | VJ0805D151GXCAT | 150pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D151GXCAT.pdf | |
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![]() | SR0603JR-7W20RL | RES SMD 20 OHM 5% 1/5W 0603 | SR0603JR-7W20RL.pdf | |
![]() | MSM56V16160F-8TSK-7 | MSM56V16160F-8TSK-7 OKI TSSOP | MSM56V16160F-8TSK-7.pdf | |
![]() | CB-14110 A2 | CB-14110 A2 ene BGA | CB-14110 A2.pdf | |
![]() | 215-0804000 | 215-0804000 ATI BGA | 215-0804000.pdf | |
![]() | NH82801DBM-QG57ES | NH82801DBM-QG57ES INTEL SMD or Through Hole | NH82801DBM-QG57ES.pdf | |
![]() | 70-114 | 70-114 SELLERY SMD or Through Hole | 70-114.pdf | |
![]() | DI-002 RD117X23 | DI-002 RD117X23 UNI SOP | DI-002 RD117X23.pdf | |
![]() | DPD42V3201 | DPD42V3201 RADIOHM SMD or Through Hole | DPD42V3201.pdf |