Infineon Technologies SI4435DYPBF

SI4435DYPBF
제조업체 부품 번호
SI4435DYPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-SI4435DYPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4435DYPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
PCN 조립/원산지Wafer Source Update 11/Dec/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs20m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs60nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2320pF @ 15V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 95
다른 이름SP001569846
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI4435DYPBF
관련 링크SI4435, SI4435DYPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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