창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4431BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4431BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4431BDY-T1-E3TR SI4431BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4431BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4431BDY, SI4431BDY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GRM2196S2A3R4CD01D | 3.4pF 100V 세라믹 커패시터 S2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196S2A3R4CD01D.pdf | ||
SIT8208AI-8F-33S-33.333300X | OSC XO 3.3V 33.3333MHZ ST | SIT8208AI-8F-33S-33.333300X.pdf | ||
SR1206JR-0722RL | RES SMD 22 OHM 5% 1/4W 1206 | SR1206JR-0722RL.pdf | ||
PWR263S-35-3900FE | RES SMD 390 OHM 1% 35W D2PAK | PWR263S-35-3900FE.pdf | ||
RNF18JBD3K30 | METAL FILM 0.125W 5% 3.3K OHM | RNF18JBD3K30.pdf | ||
FSS015WNGR | Surface Mount Force Sensor 0 ~ 15N | FSS015WNGR.pdf | ||
MM74HC132 | MM74HC132 ORIGINAL SOP | MM74HC132.pdf | ||
OPA111VM | OPA111VM AD CAN | OPA111VM.pdf | ||
C1608X5R1A106M | C1608X5R1A106M TDK CSeries060310uF | C1608X5R1A106M.pdf | ||
SET003 | SET003 FE SMD or Through Hole | SET003.pdf | ||
HM00-06330LFTR | HM00-06330LFTR ORIGINAL SMD or Through Hole | HM00-06330LFTR.pdf | ||
EC3A06 | EC3A06 Cincon SMD or Through Hole | EC3A06.pdf |