창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4423DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4423DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 14A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 175nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4423DY-T1-E3TR SI4423DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4423DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4423DY, SI4423DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CC2425E1UH | Solid State Relay DPST (2 Form A) Hockey Puck | CC2425E1UH.pdf | ||
1816-1451 | 1816-1451 AMD DIP-24 | 1816-1451.pdf | ||
CS6005GX | CS6005GX CIRRUSLOGIC SOT-23-6 | CS6005GX.pdf | ||
ACD0900RS3P1 | ACD0900RS3P1 ANADIGICS SOP-12 | ACD0900RS3P1.pdf | ||
DS1631Z-TNR | DS1631Z-TNR DALLAS SMD or Through Hole | DS1631Z-TNR.pdf | ||
CM05CH110J50AH | CM05CH110J50AH KYOCERA SMD or Through Hole | CM05CH110J50AH.pdf | ||
CM105X5R334K10V | CM105X5R334K10V KYOCERA SMD or Through Hole | CM105X5R334K10V.pdf | ||
SC516236MDWE | SC516236MDWE FRESSCAL SOP20 | SC516236MDWE.pdf | ||
M306V0EEFP | M306V0EEFP MIT QFP100 | M306V0EEFP.pdf | ||
723642 | 723642 IDT QFP | 723642.pdf | ||
LQP15MN3N3B02B | LQP15MN3N3B02B ORIGINAL SMD or Through Hole | LQP15MN3N3B02B.pdf | ||
IQXO-71B 12.0000 | IQXO-71B 12.0000 ORIGINAL SMD | IQXO-71B 12.0000.pdf |