Vishay BC Components SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4421DY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI4421DY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,334.36160
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI4421DY-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI4421DY-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI4421DY-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI4421DY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4421DY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4421DY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4421DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.75m옴 @ 14A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)800mV @ 850µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs125nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI4421DY-T1-GE3
관련 링크SI4421DY-, SI4421DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI4421DY-T1-GE3 의 관련 제품
2200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C ECA-1CHG222.pdf
G1117-18T43UF GMT SOT-223 G1117-18T43UF.pdf
ISL6129 ISL QFN24 ISL6129.pdf
JQX-13F2Z-DC110V ORIGINAL DIP JQX-13F2Z-DC110V.pdf
C0551 SKYLARK TQFP C0551.pdf
C8051F020-TB ORIGINAL SMD or Through Hole C8051F020-TB.pdf
D03316P-102HC COL SMD or Through Hole D03316P-102HC.pdf
TC74AC164F(TP1) TOSHIBA STOCK TC74AC164F(TP1).pdf
AS4C4M4F1Q-607CT VT PLCC AS4C4M4F1Q-607CT.pdf
CI0112P1HDL-LF CVILUX SMD or Through Hole CI0112P1HDL-LF.pdf
B65651D630K48 TDK-EPC SMD or Through Hole B65651D630K48.pdf
T491B156M006AS KEMET SMD or Through Hole T491B156M006AS.pdf