창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4421DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4421DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.75m옴 @ 14A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 850µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4421DY-T1-E3TR SI4421DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4421DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4421DY, SI4421DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 946H-1C-9D | 946H-1C-9D ORIGINAL DIP | 946H-1C-9D.pdf | |
![]() | UVK105CH0R7BW | UVK105CH0R7BW TAIYO SMD or Through Hole | UVK105CH0R7BW.pdf | |
![]() | MC3371DXAA | MC3371DXAA N/A NC | MC3371DXAA.pdf | |
![]() | LBC847BPDW | LBC847BPDW LRC TO-223 | LBC847BPDW.pdf | |
![]() | B76006D3379M45K14 | B76006D3379M45K14 KEMET SMD or Through Hole | B76006D3379M45K14.pdf | |
![]() | DF66U | DF66U BB SOP | DF66U.pdf | |
![]() | PKE4210FI | PKE4210FI ERICSSON SMD or Through Hole | PKE4210FI.pdf | |
![]() | KA3844AP | KA3844AP IT DIP | KA3844AP.pdf | |
![]() | L36E W03 W04 | L36E W03 W04 MOT BGA169 | L36E W03 W04.pdf | |
![]() | HQ1L2Q/DT/DTH | HQ1L2Q/DT/DTH NEC SOT-89 | HQ1L2Q/DT/DTH.pdf | |
![]() | C2C18321 | C2C18321 ORIGINAL SMD or Through Hole | C2C18321.pdf | |
![]() | POL9613AH | POL9613AH POL PDIP | POL9613AH.pdf |