창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4420DYTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4420DYPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SI4420DYPBFTR SI4420DYTRPBF-ND SI4420DYTRPBFTR-ND SP001567504 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4420DYTRPBF | |
관련 링크 | SI4420D, SI4420DYTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | D1049N08 | D1049N08 EUPEC Module | D1049N08.pdf | |
![]() | TCL5461FN | TCL5461FN ORIGINAL PLCC | TCL5461FN.pdf | |
![]() | VFM-11F71-S01 | VFM-11F71-S01 ORIGINAL SMD or Through Hole | VFM-11F71-S01.pdf | |
![]() | PCF-112D2M | PCF-112D2M Tyco DIP | PCF-112D2M.pdf | |
![]() | LT6013IS | LT6013IS LT SMD or Through Hole | LT6013IS.pdf | |
![]() | 462 000 0400.00 B | 462 000 0400.00 B SHINDEN SMD or Through Hole | 462 000 0400.00 B.pdf | |
![]() | MZ-3HG-K | MZ-3HG-K ORIGINAL SMD or Through Hole | MZ-3HG-K.pdf | |
![]() | TC58NVG0S3ETA0B | TC58NVG0S3ETA0B TOSHIBA TSSOP-40 | TC58NVG0S3ETA0B.pdf | |
![]() | MFG901000202 | MFG901000202 WD SMD or Through Hole | MFG901000202.pdf |