창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4401BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4401BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4401BDY-T1-E3TR SI4401BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4401BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4401BDY, SI4401BDY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
DEHR32E332KB2B | 3300pF 250V 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | DEHR32E332KB2B.pdf | ||
![]() | MCT06030D8251BP100 | RES SMD 8.25KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D8251BP100.pdf | |
![]() | CMF554K7500BHEA | RES 4.75K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF554K7500BHEA.pdf | |
![]() | Y007811K1100B0L | RES 11.11K OHM .3W .1% RADIAL | Y007811K1100B0L.pdf | |
![]() | YM6051 | YM6051 O QFP | YM6051.pdf | |
![]() | IN5955B | IN5955B ON SMD or Through Hole | IN5955B.pdf | |
![]() | 086210009340800+ | 086210009340800+ kyocera SMD-connectors | 086210009340800+.pdf | |
![]() | 2SK4145-S19-AG | 2SK4145-S19-AG NEC TO-220 | 2SK4145-S19-AG.pdf | |
![]() | 40189414V | 40189414V DALLAS SMD or Through Hole | 40189414V.pdf | |
![]() | A994AY-100P3 | A994AY-100P3 TOKO SMD or Through Hole | A994AY-100P3.pdf | |
![]() | Q2686GR7.4A | Q2686GR7.4A SierraWireless SMD or Through Hole | Q2686GR7.4A.pdf | |
![]() | LRTBG6TG-U4V1-1+V1 | LRTBG6TG-U4V1-1+V1 OSRAM SMD or Through Hole | LRTBG6TG-U4V1-1+V1.pdf |