창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4378DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4378DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 25A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8500pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4378DY-T1-GE3TR SI4378DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4378DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4378DY-, SI4378DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602AIT2-XXE | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602AIT2-XXE.pdf | |
![]() | VS-VSKJ320-08PBF | DIODE 800V 160A MAGN-A-PAK | VS-VSKJ320-08PBF.pdf | |
![]() | R6503AP | R6503AP ROCKWELL DIP | R6503AP.pdf | |
![]() | M5M44260AJ-7 | M5M44260AJ-7 MITSUBIS SOJ | M5M44260AJ-7.pdf | |
![]() | AD3310-A3.3 | AD3310-A3.3 AD SOP | AD3310-A3.3.pdf | |
![]() | p600sdio | p600sdio dio SMD or Through Hole | p600sdio.pdf | |
![]() | SL376 | SL376 PSSJ DIP28 | SL376.pdf | |
![]() | 51S0600H | 51S0600H TRIAD SMD or Through Hole | 51S0600H.pdf | |
![]() | 4CE220BS | 4CE220BS SANYO SMD-2 | 4CE220BS.pdf | |
![]() | L5973D-3C | L5973D-3C ST SOP | L5973D-3C.pdf | |
![]() | XR16C850CP | XR16C850CP Exar DIP40 | XR16C850CP.pdf | |
![]() | 24-5605-0500-00-829H+ | 24-5605-0500-00-829H+ Kyocera SMD or Through Hole | 24-5605-0500-00-829H+.pdf |