창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4378DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4378DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 25A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8500pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4378DY-T1-E3TR SI4378DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4378DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4378DY, SI4378DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
NTS10100MFST3G | DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN | NTS10100MFST3G.pdf | ||
LA P47F-V2BB-24-3A4B-Z | Amber 617nm LED Indication - Discrete 2V 2-SMD, Flat Lead | LA P47F-V2BB-24-3A4B-Z.pdf | ||
MCR10EZHF7870 | RES SMD 787 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF7870.pdf | ||
W78C52567C | W78C52567C Winbond DIP-40 | W78C52567C.pdf | ||
M5M5256DFP-70LLISM | M5M5256DFP-70LLISM RENESAS SMD or Through Hole | M5M5256DFP-70LLISM.pdf | ||
CY28343oCT | CY28343oCT CYPRESS TSSOP48 | CY28343oCT.pdf | ||
E58391AE | E58391AE ORIGINAL DIP | E58391AE.pdf | ||
FC140-TL | FC140-TL SANYO SOT-163 | FC140-TL.pdf | ||
AD2C541VSTR | AD2C541VSTR SSOUSA SOP4 | AD2C541VSTR.pdf | ||
SM5964AL25QP | SM5964AL25QP SYNCMOS QFP-44 | SM5964AL25QP.pdf | ||
OPI26101-1236 | OPI26101-1236 TI DIP6 | OPI26101-1236.pdf |