Vishay BC Components SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4368DY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI4368DY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,906.16040
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI4368DY-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI4368DY-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI4368DY-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI4368DY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4368DY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4368DY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4368DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds8340pF @ 15V
전력 - 최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI4368DY-T1-GE3
관련 링크SI4368DY-, SI4368DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI4368DY-T1-GE3 의 관련 제품
2.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM0335C1H2R3BA01D.pdf
20pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D200MXXAC.pdf
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 IPP80N06S209AKSA2.pdf
AC/DC CONVERTER 3.3V 25W VGS-25-3.3.pdf
RES SMD 41.2K OHM 1% 1/4W 1206 ERJ-8ENF4122V.pdf
RES SMD 1.2K OHM 5% 5W 0505 RCP0505W1K20JS2.pdf
LGT770-K1M2-1 OSRAM SMD-LED LGT770-K1M2-1.pdf
AD7811YNZ ADI SMD or Through Hole AD7811YNZ.pdf
AM26LS33/LMC AMD CLCC AM26LS33/LMC.pdf
AD80048JST ADI Call AD80048JST.pdf
HT48E10 HT SOP24 HT48E10.pdf
2SC1623-T2B(L7) NEC SOT-153 2SC1623-T2B(L7).pdf