Vishay BC Components SI4346DY-T1-E3

SI4346DY-T1-E3
제조업체 부품 번호
SI4346DY-T1-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI4346DY-T1-E3 가격 및 조달

가능 수량

13550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 249.08083
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI4346DY-T1-E3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI4346DY-T1-E3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI4346DY-T1-E3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI4346DY-T1-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4346DY-T1-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4346DY-T1-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4346DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
카탈로그 페이지 1657 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs23m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.31W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SI4346DY-T1-E3TR
SI4346DYT1E3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI4346DY-T1-E3
관련 링크SI4346DY, SI4346DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI4346DY-T1-E3 의 관련 제품
13MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTFL-13.000MHZ-ZR-E-T3.pdf
SG1524BN LINIENTY SMD or Through Hole SG1524BN.pdf
SABC167SR-LM SIEMENS QFP SABC167SR-LM.pdf
1N4733-TAP VISHAY SMD or Through Hole 1N4733-TAP.pdf
LA7789 ORIGINAL TSSOP16 LA7789.pdf
T225 AD SOT23-5 T225.pdf
11497-11 CONEXANT PLCC28 11497-11.pdf
QL60-12 GUERTE SMD or Through Hole QL60-12.pdf
MAX312LEUE/CUE MAXIM TSSOP-14 MAX312LEUE/CUE.pdf
OP777GS ORIGINAL SOP OP777GS.pdf
EEAGA1H4R7B MEI SMD or Through Hole EEAGA1H4R7B.pdf
K4S641632D-UC55 SAMSUNG TSOP K4S641632D-UC55.pdf