창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4210DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4210DY | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35.5m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 445pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4210DY-T1-GE3-ND SI4210DY-T1-GE3TR SI4210DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4210DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4210DY-, SI4210DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 50SEV0.47M4X5.5 | 0.47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | 50SEV0.47M4X5.5.pdf | |
![]() | 1N3288A | DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA | 1N3288A.pdf | |
![]() | CMF551M0500BEBF | RES 1.05M OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551M0500BEBF.pdf | |
![]() | ISD17150EY | ISD17150EY NUVOTON SMD or Through Hole | ISD17150EY.pdf | |
![]() | TSM836AW1U/2.5*2/4P 836MHZ | TSM836AW1U/2.5*2/4P 836MHZ SANYO SMD or Through Hole | TSM836AW1U/2.5*2/4P 836MHZ.pdf | |
![]() | NL252018T-015 | NL252018T-015 TDK SMD | NL252018T-015.pdf | |
![]() | KDI64537 | KDI64537 KDI SMD or Through Hole | KDI64537.pdf | |
![]() | MAX9725AETC+ | MAX9725AETC+ MAXIM TQFN-12 | MAX9725AETC+.pdf | |
![]() | SIS963UAB1PA(CM02) | SIS963UAB1PA(CM02) SIS SIS963UAB1PA(CM02) | SIS963UAB1PA(CM02).pdf | |
![]() | RA2-100V010ME3 | RA2-100V010ME3 ELNA DIP | RA2-100V010ME3.pdf | |
![]() | HN29WB800T8 | HN29WB800T8 HI SMD or Through Hole | HN29WB800T8.pdf | |
![]() | TSUMU58EHL/LF/1 | TSUMU58EHL/LF/1 MSTAR PQFP100 | TSUMU58EHL/LF/1.pdf |