Vishay BC Components SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3
제조업체 부품 번호
SI4178DY-T1-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
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내부 부품 번호EIS-SI4178DY-T1-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4178DY-T1-E3
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs21m옴 @ 8.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds405pF @ 15V
전력 - 최대5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SI4178DY-T1-E3
관련 링크SI4178DY, SI4178DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
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100kHz ±50ppm 수정 12.5pF 12k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MC-306 100.0000KB-A0: ROHS.pdf
OSC XO 3.3V 40MHZ SIT1602BI-12-33E-40.000000D.pdf
CHOKE COMPENSATED 56MH .5A VERT RN214-0.5-02-56.pdf
47µH Shielded Inductor 171mA 5.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) S1210-473G.pdf
0975-077E-7010-2M SAGAMI SMD or Through Hole 0975-077E-7010-2M.pdf
C33041 TI SOP C33041.pdf
NNOO ORIGINAL SOT-163 NNOO.pdf
8*16*0.8 ORIGINAL SMD or Through Hole 8*16*0.8.pdf
GRM33R70J103KA01D MURATA SMD GRM33R70J103KA01D.pdf
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