창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4178DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4178DY-T1-E3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 8.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 405pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4178DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4178DY, SI4178DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
APT15D60KG | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220 | APT15D60KG.pdf | ||
![]() | HD14503 | HD14503 HITACHI DIP-16 | HD14503.pdf | |
![]() | DF3Z-3P-2V(21) | DF3Z-3P-2V(21) HRS SMD or Through Hole | DF3Z-3P-2V(21).pdf | |
![]() | FR11-0001 | FR11-0001 M/A-COM SMD | FR11-0001.pdf | |
![]() | EEFCXOG221YR | EEFCXOG221YR ORIGINAL SMD or Through Hole | EEFCXOG221YR.pdf | |
![]() | LM320H-5.0P+ | LM320H-5.0P+ NS CAN3 | LM320H-5.0P+.pdf | |
![]() | 74HC175DR2 | 74HC175DR2 MOT SOP-3.9MM | 74HC175DR2.pdf | |
![]() | T25013DH | T25013DH ST TO- | T25013DH.pdf | |
![]() | HFBR-0503Z | HFBR-0503Z AVAGO SMD or Through Hole | HFBR-0503Z.pdf | |
![]() | CBT16212DGG,118 | CBT16212DGG,118 NXP SMD or Through Hole | CBT16212DGG,118.pdf | |
![]() | LD203EA55 | LD203EA55 ORIGINAL SMD or Through Hole | LD203EA55.pdf | |
![]() | 111MT160KPBF | 111MT160KPBF IR SMD or Through Hole | 111MT160KPBF.pdf |