창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4172DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4172DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 4.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4172DY-T1-GE3-ND SI4172DY-T1-GE3TR SI4172DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4172DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4172DY-, SI4172DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CL21Y106KPQVPNE | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X7S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21Y106KPQVPNE.pdf | |
![]() | ICS83948AYI-147 | ICS83948AYI-147 ICS QFP | ICS83948AYI-147.pdf | |
![]() | 576002-3 | 576002-3 ORIGINAL SOP24 | 576002-3.pdf | |
![]() | BA5215 | BA5215 ROHM ZIP-12 | BA5215.pdf | |
![]() | C323C104M5U5TA | C323C104M5U5TA KEMET SMD or Through Hole | C323C104M5U5TA.pdf | |
![]() | S-8241AARMC | S-8241AARMC SEIKO SMD or Through Hole | S-8241AARMC.pdf | |
![]() | EPS-9253 | EPS-9253 ADI MODEL | EPS-9253.pdf | |
![]() | CY28329ZXC | CY28329ZXC CY TSSOP | CY28329ZXC.pdf | |
![]() | CR21B102JT | CR21B102JT RGAllen SMD or Through Hole | CR21B102JT.pdf | |
![]() | PEB2091NV44 | PEB2091NV44 sie SMD or Through Hole | PEB2091NV44.pdf | |
![]() | GS1608DC-220M | GS1608DC-220M ORIGINAL 2.5K | GS1608DC-220M.pdf | |
![]() | AS7C1024-20TJC | AS7C1024-20TJC NA PLCC | AS7C1024-20TJC.pdf |