창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4158DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4158DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 132nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5710pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4158DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4158DY-, SI4158DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | FJH1101 | DIODE GEN PURP 15V 150MA DO35 | FJH1101.pdf | |
![]() | RT0805DRD071K18L | RES SMD 1.18K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD071K18L.pdf | |
![]() | CMF5519K600BERE | RES 19.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5519K600BERE.pdf | |
![]() | CMF55154K00BEEB | RES 154K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55154K00BEEB.pdf | |
![]() | SMC0603NP0750J050NT | SMC0603NP0750J050NT N/A SMD or Through Hole | SMC0603NP0750J050NT.pdf | |
![]() | OP113E# | OP113E# AD SOP8 | OP113E#.pdf | |
![]() | CMT2T2.7RJ | CMT2T2.7RJ ORIGINAL SMD or Through Hole | CMT2T2.7RJ.pdf | |
![]() | IC61SP128332-133TQ | IC61SP128332-133TQ ORIGINAL SMD or Through Hole | IC61SP128332-133TQ.pdf | |
![]() | FSD2N60 | FSD2N60 FAIRCARD TO-252 | FSD2N60.pdf | |
![]() | SDB20S30 | SDB20S30 INFINEON SMD or Through Hole | SDB20S30.pdf | |
![]() | BH1426GWL | BH1426GWL ROHM SMD or Through Hole | BH1426GWL.pdf | |
![]() | FL004A002. | FL004A002. MAX QFN | FL004A002..pdf |