창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4136DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4136DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4560pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4136DY-T1-GE3-ND SI4136DY-T1-GE3TR SI4136DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4136DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4136DY-, SI4136DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
EKY-250ETS272ML25S | 2700µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EKY-250ETS272ML25S.pdf | ||
ELF-16M020A | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 200mA DCR 3.65 Ohm (Typ) | ELF-16M020A.pdf | ||
RT0402BRE0723K7L | RES SMD 23.7KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0723K7L.pdf | ||
AD11-1 | AD11-1 AD DIP | AD11-1.pdf | ||
14106B | 14106B MOTOROLA SMD or Through Hole | 14106B.pdf | ||
UC2-9SNRJ | UC2-9SNRJ NEC SMD or Through Hole | UC2-9SNRJ.pdf | ||
INIC-1606 | INIC-1606 INITIO LQFP64-pin77 | INIC-1606.pdf | ||
598-8370-107F-3 | 598-8370-107F-3 DIALIGHT ORIGINAL | 598-8370-107F-3.pdf | ||
D65943GM079 | D65943GM079 NEC QFP | D65943GM079.pdf | ||
KD0504PFS2.11 | KD0504PFS2.11 SUNON SMD or Through Hole | KD0504PFS2.11.pdf |