창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4136DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4136DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4560pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4136DY-T1-GE3-ND SI4136DY-T1-GE3TR SI4136DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4136DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4136DY-, SI4136DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DRC2144G0L | TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 | DRC2144G0L.pdf | |
![]() | 1-1415542-4 | RT175018 | 1-1415542-4.pdf | |
![]() | 0201-2.2P | 0201-2.2P SAMSUNG SMD or Through Hole | 0201-2.2P.pdf | |
![]() | MB112S629 | MB112S629 FUJITSU DIP-28P | MB112S629.pdf | |
![]() | KD2004-DF1OA | KD2004-DF1OA ROHM DIPSOP | KD2004-DF1OA.pdf | |
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![]() | H1608DG | H1608DG M-TEK SMD or Through Hole | H1608DG.pdf | |
![]() | CS144AMS | CS144AMS ORIGINAL SMD or Through Hole | CS144AMS.pdf | |
![]() | HFBR-0536Z | HFBR-0536Z AvagoTechnologiesUSInc Onlyoriginal | HFBR-0536Z.pdf | |
![]() | FP6340G | FP6340G FITI MSOP | FP6340G.pdf |