창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4124DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4124DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 77nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3540pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 5.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4124DY-T1-GE3TR SI4124DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4124DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4124DY-, SI4124DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 6-1393231-8 | RP71DA24 | 6-1393231-8.pdf | |
![]() | RT0603DRD07274RL | RES SMD 274 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07274RL.pdf | |
![]() | CP0003360R0JE66 | RES 360 OHM 3W 5% AXIAL | CP0003360R0JE66.pdf | |
![]() | AD19818 | AD19818 AD QFP | AD19818.pdf | |
![]() | FQPF13N50CTC003 | FQPF13N50CTC003 FSC Call | FQPF13N50CTC003.pdf | |
![]() | PM5155 | PM5155 ORIGINAL SMD or Through Hole | PM5155.pdf | |
![]() | LNG995PFB | LNG995PFB PANASONIC ROHS | LNG995PFB.pdf | |
![]() | GT100DA60U | GT100DA60U VISHAY SMD or Through Hole | GT100DA60U.pdf | |
![]() | MPS2369STOB | MPS2369STOB ZTX E-LINE | MPS2369STOB.pdf | |
![]() | BDS-3510D-220M-C1 | BDS-3510D-220M-C1 Bujeon 5KReel)2104689595 | BDS-3510D-220M-C1.pdf | |
![]() | ISL83071EIBZA-TTR | ISL83071EIBZA-TTR INTERSIL SMD or Through Hole | ISL83071EIBZA-TTR.pdf | |
![]() | N13T1 2N6027 | N13T1 2N6027 NEC TO-92 | N13T1 2N6027.pdf |