Vishay BC Components SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4116DY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI4116DY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 425.51309
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI4116DY-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI4116DY-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI4116DY-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI4116DY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4116DY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4116DY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4116DY
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1657 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.6m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1925pF @ 15V
전력 - 최대5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름SI4116DY-T1-GE3TR
SI4116DYT1GE3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI4116DY-T1-GE3
관련 링크SI4116DY-, SI4116DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI4116DY-T1-GE3 의 관련 제품
FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM 0034.3114.PT.pdf
RES SMD 475K OHM 0.1% 1/4W 1206 RG3216N-4753-B-T5.pdf
1N6642USJTX AMP SMD or Through Hole 1N6642USJTX.pdf
8120-174-008 GLOBESPA QFP 8120-174-008.pdf
SPS-608A-1 IC SMD or Through Hole SPS-608A-1.pdf
TA8671AN TOSHIBA DIP TA8671AN.pdf
AAT1187-Q7-T ATT QFN AAT1187-Q7-T.pdf
HB0100014F00/1000 100 KOA SMD HB0100014F00/1000 100.pdf
1775024-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole 1775024-1.pdf
TL7770 TI SOP16 TL7770.pdf
IR4DBZ IOR SOP IR4DBZ.pdf