창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4114DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4114DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3700pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 5.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4114DY-T1-GE3TR SI4114DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4114DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4114DY-, SI4114DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TPSC475K035H0600 | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 600 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TPSC475K035H0600.pdf | |
![]() | 3.2x1.5x1.1 | 3.2x1.5x1.1 EVERLIGHT LED | 3.2x1.5x1.1.pdf | |
![]() | CF 1/8 20 5% R | CF 1/8 20 5% R STACKPOLETECHNOLOGY SMD or Through Hole | CF 1/8 20 5% R.pdf | |
![]() | TCM129C23N | TCM129C23N TI DIP | TCM129C23N.pdf | |
![]() | AMG6 | AMG6 MIC SOT23-5 | AMG6.pdf | |
![]() | 0534671009+ | 0534671009+ MOLEX SMD or Through Hole | 0534671009+.pdf | |
![]() | HSM2838CTL-E | HSM2838CTL-E RENESAS NA | HSM2838CTL-E.pdf | |
![]() | PSC1826H-421J1R0 | PSC1826H-421J1R0 TDK SMD or Through Hole | PSC1826H-421J1R0.pdf | |
![]() | MC13600M | MC13600M MOT SOP | MC13600M.pdf | |
![]() | AM1G-4809SZ | AM1G-4809SZ AimtecInc SIP8 | AM1G-4809SZ.pdf | |
![]() | CT0603CSF-27N | CT0603CSF-27N CENTRAL SMD or Through Hole | CT0603CSF-27N.pdf |