창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4101DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4101DY-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 203nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8190pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4101DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4101DY-, SI4101DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
F1778410M2D0W0 | 0.1µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | F1778410M2D0W0.pdf | ||
2035-40-B5 | GDT 400V 15% 5KA THROUGH HOLE | 2035-40-B5.pdf | ||
SI1026X-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 | SI1026X-T1-GE3.pdf | ||
RG1608P-1782-W-T1 | RES SMD 17.8K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-1782-W-T1.pdf | ||
D61153BF | D61153BF NEC BGA | D61153BF.pdf | ||
DS-1955 | DS-1955 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS-1955.pdf | ||
RSHKQ-024-A | RSHKQ-024-A SHINMEI DIP-SOP | RSHKQ-024-A.pdf | ||
LBR350FH | LBR350FH WAY-ON DIP | LBR350FH.pdf | ||
BTA316X-800B0 | BTA316X-800B0 NXP TO-220F | BTA316X-800B0.pdf | ||
VJ0402Y471MXAAT(0402-470P) | VJ0402Y471MXAAT(0402-470P) VISHAY SMD or Through Hole | VJ0402Y471MXAAT(0402-470P).pdf | ||
UPA2562T1H-T1-AT | UPA2562T1H-T1-AT RENESAS TSMT8 | UPA2562T1H-T1-AT.pdf | ||
GI79M05 | GI79M05 GTM TO-251 | GI79M05.pdf |