창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4100DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4100DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63m옴 @ 4.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4100DY-T1-E3-ND SI4100DY-T1-E3TR SI4100DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4100DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4100DY, SI4100DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | DCC010-TB-E | DIODE ARRAY GP 80V 100MA 3CP | DCC010-TB-E.pdf | |
![]() | SFR16S0001821FR500 | RES 1.82K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001821FR500.pdf | |
![]() | Y00891K00000BM1R | RES 1K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00891K00000BM1R.pdf | |
![]() | Y16900R75000C9L | RES 0.75 OHM 8W 0.25% TO220-4 | Y16900R75000C9L.pdf | |
![]() | P51-200-A-B-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-B-M12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | D00312 | D00312 KOREA TSSOP | D00312.pdf | |
![]() | M9850 | M9850 PHI SMD or Through Hole | M9850.pdf | |
![]() | B4300CN-3.3 | B4300CN-3.3 N/A SOT89 | B4300CN-3.3.pdf | |
![]() | CPB73160150F | CPB73160150F SMKC SMD or Through Hole | CPB73160150F.pdf | |
![]() | MCH311F104ZP | MCH311F104ZP ROHM SMD or Through Hole | MCH311F104ZP.pdf | |
![]() | C-UC-MAW10 | C-UC-MAW10 GLENAIR SMD or Through Hole | C-UC-MAW10.pdf |