홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » SI3948DV-T1-GE3

Vishay BC Components SI3948DV-T1-GE3

SI3948DV-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI3948DV-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI3948DV-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 588.10767
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI3948DV-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI3948DV-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI3948DV-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI3948DV-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI3948DV-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI3948DV-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI3948DV
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs105m옴 @ 2.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA(최소)
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.2nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.15W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI3948DV-T1-GE3
관련 링크SI3948DV-, SI3948DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI3948DV-T1-GE3 의 관련 제품
0.033µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) GRM3195C1H333JA01D.pdf
MICA CDV30FH511JO3F.pdf
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F APTMC60TLM55CT3AG.pdf
RES SMD 1.07KOHM 0.05% 1/4W 1210 RT1210WRB071K07L.pdf
RES SMD 953 OHM 0.05% 1/10W 0603 TNPU0603953RAZEN00.pdf
TNY179N POWER DIP-7 TNY179N.pdf
AX3014SA AXElite SOP-8 AX3014SA.pdf
LP2985IM5X-1.8/NOPB NSC SOT-23 LP2985IM5X-1.8/NOPB.pdf
MPS-3118-100GC METRODYNE SMD or Through Hole MPS-3118-100GC.pdf
6282-5SG-3DC CONXALL SMD or Through Hole 6282-5SG-3DC.pdf
C5-K2.5L-6R8 MITSUMI SMD C5-K2.5L-6R8.pdf
TZMC39V-GS08 VISHAY LL-34 TZMC39V-GS08.pdf