창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3851DV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3851DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | LITTLE FOOT® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 830mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3851DV-T1-E3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3851DV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3851DV, SI3851DV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | EDK476M035S9GAA | 47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD | EDK476M035S9GAA.pdf | |
![]() | 112RIA80S90 | 112RIA80S90 IR MODULE | 112RIA80S90.pdf | |
![]() | MSU2F1S | MSU2F1S MSI SMD or Through Hole | MSU2F1S.pdf | |
![]() | AT24C16-10PC27 | AT24C16-10PC27 ORIGINAL SMD or Through Hole | AT24C16-10PC27.pdf | |
![]() | AN3929K | AN3929K MIT DIP | AN3929K.pdf | |
![]() | NJM3772D2-#ZZZB. | NJM3772D2-#ZZZB. JRC DIP22 | NJM3772D2-#ZZZB..pdf | |
![]() | CB100505T-301Y | CB100505T-301Y EROCORE NA | CB100505T-301Y.pdf | |
![]() | K2661 | K2661 Toshiba TO-220 | K2661.pdf | |
![]() | CC-2.2N | CC-2.2N ORIGINAL SMD or Through Hole | CC-2.2N.pdf | |
![]() | EDI8832C150CB | EDI8832C150CB edi dip | EDI8832C150CB.pdf | |
![]() | OM6402 | OM6402 PHI SOP28 | OM6402.pdf |