창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3851DV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3851DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | LITTLE FOOT® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 830mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3851DV-T1-E3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3851DV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3851DV, SI3851DV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
B82625B2302M1 | 700µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 210 mOhm (Typ) | B82625B2302M1.pdf | ||
ERJ-S1DF1271U | RES SMD 1.27K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1271U.pdf | ||
TNPW201034K0BEEY | RES SMD 34K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201034K0BEEY.pdf | ||
CMF5520R500DHEA | RES 20.5 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5520R500DHEA.pdf | ||
Y006212K1000B0L | RES 12.1K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y006212K1000B0L.pdf | ||
107M20EP0150-CT | 107M20EP0150-CT AVX SMD or Through Hole | 107M20EP0150-CT.pdf | ||
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CXA3358 | CXA3358 SONY BGA | CXA3358.pdf | ||
CU405B1F-1441-1T 7 | CU405B1F-1441-1T 7 TDK SMD or Through Hole | CU405B1F-1441-1T 7.pdf |