창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3590DV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3590DV | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A, 1.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 77m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 830mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3590DV-T1-E3TR SI3590DVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3590DV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3590DV, SI3590DV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1N5254C-TAP | DIODE ZENER 4.6A 27V DO35 | 1N5254C-TAP.pdf | |
![]() | PUMD6,135 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | PUMD6,135.pdf | |
![]() | 25MHZ(3.5X6-2P) | 25MHZ(3.5X6-2P) CITIZEN 3.5X6-2P | 25MHZ(3.5X6-2P).pdf | |
![]() | ISL28130CEZ-T7A | ISL28130CEZ-T7A intersil SC70-5 | ISL28130CEZ-T7A.pdf | |
![]() | M-CSP1099R-BF-DB | M-CSP1099R-BF-DB MOT QFP | M-CSP1099R-BF-DB.pdf | |
![]() | LY0302-4R7M | LY0302-4R7M ORIGINAL SMD or Through Hole | LY0302-4R7M.pdf | |
![]() | 333012-001 | 333012-001 ZARLINK PQFP | 333012-001.pdf | |
![]() | TSH111IDT | TSH111IDT ST SOP-8 | TSH111IDT.pdf | |
![]() | 0-0176283-1 | 0-0176283-1 AMPTYCO SMD or Through Hole | 0-0176283-1.pdf | |
![]() | MCP1703T-1202E/MC | MCP1703T-1202E/MC Microchip SMD or Through Hole | MCP1703T-1202E/MC.pdf | |
![]() | D14134ACT534 | D14134ACT534 NEC DIP | D14134ACT534.pdf | |
![]() | BG27000DRKR | BG27000DRKR TI SMD or Through Hole | BG27000DRKR.pdf |