창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3493BDV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3493BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27.5m옴 @ 7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1805pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.97W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3493BDV-T1-E3TR SI3493BDVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3493BDV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3493BDV, SI3493BDV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | B43540G2567M60 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 130 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540G2567M60.pdf | |
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![]() | 19-21B/BHC-XL1M1RY | 19-21B/BHC-XL1M1RY EVERLIGHT SMD or Through Hole | 19-21B/BHC-XL1M1RY.pdf | |
![]() | ICS950810GB | ICS950810GB ICS SSOP | ICS950810GB.pdf | |
![]() | DG134AP | DG134AP SIL DIP | DG134AP.pdf | |
![]() | CD1036 | CD1036 toshiba SMD | CD1036.pdf | |
![]() | SMBJ24A DO214B-LZ | SMBJ24A DO214B-LZ VISAHA/GeneralSemiconductor DO-214 | SMBJ24A DO214B-LZ.pdf | |
![]() | 90170-0050 | 90170-0050 MOLEX Original Package | 90170-0050.pdf |