창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3493BDV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3493BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27.5m옴 @ 7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1805pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.97W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3493BDV-T1-E3TR SI3493BDVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3493BDV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3493BDV, SI3493BDV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ABM7-48.000MHZ-D2Y-F-T | 48MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-48.000MHZ-D2Y-F-T.pdf | |
![]() | MBR20200CT-LJ | DIODE ARRAY 200V 10A TO220AB | MBR20200CT-LJ.pdf | |
![]() | BAW56-7 TEL:82766440 | BAW56-7 TEL:82766440 DIODES SOT-23 | BAW56-7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | UFS14 | UFS14 FCI SMA DO-214AC | UFS14.pdf | |
![]() | 2SA640 | 2SA640 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA640.pdf | |
![]() | 274C. | 274C. ST SOP-16 | 274C..pdf | |
![]() | EM7506SO16B+ | EM7506SO16B+ EM SMD or Through Hole | EM7506SO16B+.pdf | |
![]() | D82259AC2 | D82259AC2 NEC PDIP | D82259AC2.pdf | |
![]() | 0459.750UR(R459.750) | 0459.750UR(R459.750) LITELFUSE 25212-750MA | 0459.750UR(R459.750).pdf | |
![]() | RI64 | RI64 N/A SMD or Through Hole | RI64.pdf | |
![]() | FM4004W-S | FM4004W-S RECTRON SMA | FM4004W-S.pdf |