창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3469DV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3469DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.14W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3469DV-T1-GE3TR SI3469DVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3469DV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3469DV-, SI3469DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | LGU2P221MELZ | 220µF 220V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU2P221MELZ.pdf | |
![]() | MSAD70-18 | DIODE MODULE 1.8KV 70A D1 | MSAD70-18.pdf | |
![]() | SMF5680RJT | RES SMD 680 OHM 5% 5W 5329 | SMF5680RJT.pdf | |
![]() | 4309R-101-334 | RES ARRAY 8 RES 330K OHM 9SIP | 4309R-101-334.pdf | |
![]() | CMF5531K600BHEA | RES 31.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5531K600BHEA.pdf | |
![]() | FSGM300SU | FSGM300SU FAIRCHILD DIP-8 | FSGM300SU.pdf | |
![]() | 82002555-0Q3T-2 | 82002555-0Q3T-2 MICA QFP | 82002555-0Q3T-2.pdf | |
![]() | D 1.5UF 50V | D 1.5UF 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | D 1.5UF 50V.pdf | |
![]() | EP2S60F484C5ES | EP2S60F484C5ES ALTERA FBGA | EP2S60F484C5ES.pdf | |
![]() | IS42S16320B-6BL, | IS42S16320B-6BL, ISSI SMD or Through Hole | IS42S16320B-6BL,.pdf | |
![]() | ELJQF10NGF | ELJQF10NGF PANASONIC SMD | ELJQF10NGF.pdf |