창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3469DV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3469DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.14W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3469DV-T1-E3TR SI3469DVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3469DV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3469DV, SI3469DV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 474K500CS6G | FILM/M | 474K500CS6G.pdf | |
![]() | AC0201FR-072K4L | RES SMD 2.4K OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-072K4L.pdf | |
![]() | 325MHZ | 325MHZ JRC 3.8 3.8 | 325MHZ.pdf | |
![]() | NTP108M2.5TRD(25)F | NTP108M2.5TRD(25)F NIC SMD | NTP108M2.5TRD(25)F.pdf | |
![]() | 74HC03B1R | 74HC03B1R ST SOP DIP | 74HC03B1R.pdf | |
![]() | TSPC603RMG-8LC | TSPC603RMG-8LC ATMEL BGA | TSPC603RMG-8LC.pdf | |
![]() | 2SV86 | 2SV86 FT/ DIP | 2SV86.pdf | |
![]() | SSW50N06 | SSW50N06 SEC TO-263 | SSW50N06.pdf | |
![]() | CMR104K50V | CMR104K50V UNI SMD or Through Hole | CMR104K50V.pdf | |
![]() | 82D332M025HA2D | 82D332M025HA2D VISHAY DIP | 82D332M025HA2D.pdf | |
![]() | R0929LS08E | R0929LS08E WESTCODE SMD or Through Hole | R0929LS08E.pdf | |
![]() | BA1106FS-TI | BA1106FS-TI ROHM SOP | BA1106FS-TI.pdf |