창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3467DV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3467DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.14W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3467DV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3467DV-, SI3467DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TD030090BH80136BJ1 | 800pF 10000V(10kV) 세라믹 커패시터 R85 비표준형, 태빙 1.772" Dia(45.00mm) | TD030090BH80136BJ1.pdf | |
![]() | BFC237518122 | 1200pF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.571" L x 0.217" W (14.50mm x 5.50mm) | BFC237518122.pdf | |
![]() | MBRF30H100CT-E3/45 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 | MBRF30H100CT-E3/45.pdf | |
![]() | MMBD6050 | DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3 | MMBD6050.pdf | |
![]() | 10231F* | 10231F* S/PHI CDIP16 | 10231F*.pdf | |
![]() | R1158NS26I | R1158NS26I WESTCODE SMD or Through Hole | R1158NS26I.pdf | |
![]() | HD6433614A98H | HD6433614A98H HD QFP | HD6433614A98H.pdf | |
![]() | P50-030PG-S1-TGF | P50-030PG-S1-TGF MCORP SMD or Through Hole | P50-030PG-S1-TGF.pdf | |
![]() | 12.288MHZ/NSA3391C | 12.288MHZ/NSA3391C NDK NT3225SA | 12.288MHZ/NSA3391C.pdf | |
![]() | F751 | F751 ORIGINAL SOT-223 | F751.pdf | |
![]() | GM2621-LF. | GM2621-LF. GENESIS QFP | GM2621-LF..pdf | |
![]() | ENJRF18NJF | ENJRF18NJF PANASONI SMD or Through Hole | ENJRF18NJF.pdf |