창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3460DV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3460DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 5.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 450mV @ 1mA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3460DV-T1-E3-ND SI3460DV-T1-E3TR SI3460DVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3460DV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3460DV, SI3460DV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MMSD459A | DIODE GEN PURP SOD123 | MMSD459A.pdf | ||
99-213UNC/1216615/TR8 | LED SIDE VIEW WHITE SMD | 99-213UNC/1216615/TR8.pdf | ||
C3D08060 | C3D08060 CREE TO-220AC | C3D08060.pdf | ||
2N6190A | 2N6190A ORIGINAL CAN | 2N6190A.pdf | ||
SE5218BLG-LF | SE5218BLG-LF SEI SOT23-5 | SE5218BLG-LF.pdf | ||
MT4C4M4E8TG-6 | MT4C4M4E8TG-6 MICRON TSOP24 | MT4C4M4E8TG-6.pdf | ||
K121-3 | K121-3 SONY/ TO-92 | K121-3.pdf | ||
P386/SMA | P386/SMA ORIGINAL SMA | P386/SMA.pdf | ||
0603SFF200F/32CT-ND | 0603SFF200F/32CT-ND tyco//dkcdigikeycom/PDF/C/Ppdf 2 00 | 0603SFF200F/32CT-ND.pdf | ||
RSZ5227BPhone:82766440A | RSZ5227BPhone:82766440A ROHM SMD or Through Hole | RSZ5227BPhone:82766440A.pdf |