창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3459BDV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3459BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 216m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3459BDV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3459BDV, SI3459BDV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
HM79S-63330LFTR13 | 33µH Shielded Inductor 610mA 410 mOhm Max Nonstandard | HM79S-63330LFTR13.pdf | ||
TMD2121-2 | TMD2121-2 TOSHIBA SMD or Through Hole | TMD2121-2.pdf | ||
IP90C18 | IP90C18 SUMITOMO QFP | IP90C18.pdf | ||
0912+PB | 0912+PB BRIGHTL SMD or Through Hole | 0912+PB.pdf | ||
33UF 16V 5X11 | 33UF 16V 5X11 ORIGINAL SMD or Through Hole | 33UF 16V 5X11.pdf | ||
HY5RS573225BFP | HY5RS573225BFP HYNIX BGA | HY5RS573225BFP.pdf | ||
RN5RG33A | RN5RG33A RICOH SOT-153 | RN5RG33A.pdf | ||
SRX6953(T) | SRX6953(T) PERICOM SMD or Through Hole | SRX6953(T).pdf | ||
M6M62429FP-TFB | M6M62429FP-TFB RENESAS SOP | M6M62429FP-TFB.pdf | ||
0603-78.7K | 0603-78.7K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-78.7K.pdf | ||
KTB1260Y | KTB1260Y KEC SOT-89 | KTB1260Y.pdf |