창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3443CDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3443CDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3443CDV-T1-GE3-ND SI3443CDV-T1-GE3TR SI3443CDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3443CDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3443CDV, SI3443CDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
16PX1000MEFCT810X12.5 | 1000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 16PX1000MEFCT810X12.5.pdf | ||
LME0505SC | LME0505SC MURATAPS SIP | LME0505SC.pdf | ||
PTMA403033N1AD | PTMA403033N1AD TIS Onlyoriginal | PTMA403033N1AD.pdf | ||
MAX3781UCM+D | MAX3781UCM+D MAXIM QFP | MAX3781UCM+D.pdf | ||
1008CQ-101EGPS | 1008CQ-101EGPS ORIGINAL SMD | 1008CQ-101EGPS.pdf | ||
SSM6N16FE(TE85L.F) | SSM6N16FE(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | SSM6N16FE(TE85L.F).pdf | ||
CWE3000KCT | CWE3000KCT VISHAY SMD or Through Hole | CWE3000KCT.pdf | ||
H488 | H488 WYC SMD | H488.pdf | ||
EPM7032B-TC44-3 | EPM7032B-TC44-3 ALTIMA QFP | EPM7032B-TC44-3.pdf | ||
C/F RES 1W100KR5% | C/F RES 1W100KR5% CDT SMD or Through Hole | C/F RES 1W100KR5%.pdf | ||
LPC47M157-NC | LPC47M157-NC SMSC QFP-128 | LPC47M157-NC.pdf | ||
1852AI | 1852AI ST SOP8 | 1852AI.pdf |