창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3442BDV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3442BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 860mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3442BDV-T1-E3TR SI3442BDVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3442BDV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3442BDV, SI3442BDV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | S0402-8N2J3D | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-8N2J3D.pdf | |
![]() | RCWE120650L0FNEA | RES SMD 0.05 OHM 1% 1/2W 1206 | RCWE120650L0FNEA.pdf | |
![]() | GS-3-100-7501-F-LF | RES 7.5K OHM 3W 1% AXIAL | GS-3-100-7501-F-LF.pdf | |
![]() | BCM89610 | BCM89610 Broadcom N A | BCM89610.pdf | |
![]() | HK060368NS-T | HK060368NS-T TAIYO SMD | HK060368NS-T.pdf | |
![]() | RNC60J10R0FS | RNC60J10R0FS ORIGINAL T-9 | RNC60J10R0FS.pdf | |
![]() | MLV1005N9R0X | MLV1005N9R0X chilisincom/pdf/MLVSeriespdf SMD or Through Hole | MLV1005N9R0X.pdf | |
![]() | ds116 | ds116 coo SMD or Through Hole | ds116.pdf | |
![]() | MC1229F | MC1229F MOT Call | MC1229F.pdf | |
![]() | TC9991 | TC9991 PHI SOP24 | TC9991.pdf | |
![]() | M24128-BRDW6TP_A | M24128-BRDW6TP_A ST SMD or Through Hole | M24128-BRDW6TP_A.pdf | |
![]() | 12LE5052AS | 12LE5052AS STC tssop | 12LE5052AS.pdf |