창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3421DV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TSOP Package Drawing SI3421DV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.2m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2580pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 4.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3421DV-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3421DV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3421DV-, SI3421DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1N3321A | DIODE ZENER 24V 50W DO5 | 1N3321A.pdf | |
![]() | S5969-RevA5-030812 | S5969-RevA5-030812 BOTHHAND SOPDIP | S5969-RevA5-030812.pdf | |
![]() | LRCLRF2010-01-R007J | LRCLRF2010-01-R007J IRC SMD | LRCLRF2010-01-R007J.pdf | |
![]() | 1000P | 1000P ORIGINAL SOP | 1000P.pdf | |
![]() | CXP740056-104Q | CXP740056-104Q SONY QFP | CXP740056-104Q.pdf | |
![]() | PMC107-R40M-HF | PMC107-R40M-HF YAGEO SMD or Through Hole | PMC107-R40M-HF.pdf | |
![]() | M10091BA122 | M10091BA122 EPSON DIP | M10091BA122.pdf | |
![]() | ht-301c-ht-336c | ht-301c-ht-336c div SMD or Through Hole | ht-301c-ht-336c.pdf | |
![]() | 33.8688MHZ-49U | 33.8688MHZ-49U KDS 49U-2P | 33.8688MHZ-49U.pdf | |
![]() | CSI1161JI-42 (I2C) | CSI1161JI-42 (I2C) ON/CATALYST/CSI SOIC8L | CSI1161JI-42 (I2C).pdf | |
![]() | HE2A108M25030 | HE2A108M25030 SAMW DIP2 | HE2A108M25030.pdf | |
![]() | AM514900ALTT7R | AM514900ALTT7R ORIGINAL TSOP | AM514900ALTT7R.pdf |