Vishay BC Components SI2365EDS-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI2365EDS-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SI2365EDS-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 77.22000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SI2365EDS-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI2365EDS-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI2365EDS-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SI2365EDS-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI2365EDS-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2365EDS-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI2365EDS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-236 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDST1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI2365EDS-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI2365EDS, SI2365EDS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SI2365EDS-T1-GE3 의 관련 제품
 | K181M10X7RF5UL2 | 180pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K181M10X7RF5UL2.pdf | |
 | SIT9002AI-08H25ET | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA Enable/Disable | SIT9002AI-08H25ET.pdf | |
 | GSXF100A100S1-D3 | DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227 | GSXF100A100S1-D3.pdf | |
 | IRFS3006TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | IRFS3006TRLPBF.pdf | |
 | E3JM-R4S4T-US | SENSOR PHOTO REF 4M SS NPN TMR | E3JM-R4S4T-US.pdf | |
| M52343SP | M52343SP MIT DIP | M52343SP.pdf | |
| CM21Y5V154Z50AT | CM21Y5V154Z50AT KYOCERA SMD or Through Hole | CM21Y5V154Z50AT.pdf | |
| S1D13305F00B | S1D13305F00B EPSON QFP60 | S1D13305F00B.pdf | |
| MI-6551-5 | MI-6551-5 HRRIS DIP | MI-6551-5.pdf | |
| ESD9C5.0ST5GOSTR | ESD9C5.0ST5GOSTR Onsemiconductor SMD or Through Hole | ESD9C5.0ST5GOSTR.pdf | |
| CS3688EF | CS3688EF SEMICO QFN | CS3688EF.pdf | |
| LWS-2405HT | LWS-2405HT DANUBE DIP5 | LWS-2405HT.pdf |