창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2337DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2337DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2337DS-T1-GE3-ND SI2337DS-T1-GE3TR SI2337DST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2337DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2337DS-, SI2337DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT8918AA-13-33E-50.000000D | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT8918AA-13-33E-50.000000D.pdf | ||
G7L-2A-TUBJ-80-CB DC24 | General Purpose Relay DPST (2 Form A) 24VDC Coil Chassis Mount | G7L-2A-TUBJ-80-CB DC24.pdf | ||
SR0805JR-075K1L | RES SMD 5.1K OHM 5% 1/8W 0805 | SR0805JR-075K1L.pdf | ||
CPF0603B12K1E1 | RES SMD 12.1KOHM 0.1% 1/16W 0603 | CPF0603B12K1E1.pdf | ||
TEPSLA1C225K8R | TEPSLA1C225K8R NEC A1206 | TEPSLA1C225K8R.pdf | ||
SBRF10200CT-G | SBRF10200CT-G Sensitron ITO-220AB(50TUBE1K | SBRF10200CT-G.pdf | ||
TCL-A21V01-TO | TCL-A21V01-TO TCL DIP64 | TCL-A21V01-TO.pdf | ||
M5M5V208WG-85LL | M5M5V208WG-85LL MIT BGA | M5M5V208WG-85LL.pdf | ||
MMDTA42 | MMDTA42 DIODES SMD or Through Hole | MMDTA42.pdf | ||
OP77CJ8 | OP77CJ8 LT DIP | OP77CJ8.pdf | ||
RMF-T20N | RMF-T20N RIKO SMD or Through Hole | RMF-T20N.pdf | ||
SS6633 | SS6633 SILICON SMD or Through Hole | SS6633.pdf |