창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2337DS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2337DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2337DS-T1-E3TR SI2337DST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2337DS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2337DS, SI2337DS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | UCX1H821MNS1ZD | 820µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 70 mOhm 2000 Hrs @ 135°C | UCX1H821MNS1ZD.pdf | |
![]() | SRR1260-221K | 220µH Shielded Wirewound Inductor 1.38A 380 mOhm Max Nonstandard | SRR1260-221K.pdf | |
![]() | RN73C2A121RBTG | RES SMD 121 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A121RBTG.pdf | |
![]() | 640466-1 | 640466-1 ORIGINAL STOCK | 640466-1.pdf | |
![]() | BQ2002GPN | BQ2002GPN TI SMD or Through Hole | BQ2002GPN.pdf | |
![]() | TPCP8105 | TPCP8105 TOSHIBA PS-8 | TPCP8105.pdf | |
![]() | EL6195AEZ | EL6195AEZ EL QFN | EL6195AEZ.pdf | |
![]() | 74AHC1GU04DCK | 74AHC1GU04DCK TI SC70-5 | 74AHC1GU04DCK.pdf | |
![]() | SMA7071A2-3GT50G-50 | SMA7071A2-3GT50G-50 AMPHENOL SMD or Through Hole | SMA7071A2-3GT50G-50.pdf | |
![]() | CG74F125 | CG74F125 LG DIP | CG74F125.pdf | |
![]() | URZA6.3VH103U22X51LL | URZA6.3VH103U22X51LL UMITEDCHEMI-CON DIP | URZA6.3VH103U22X51LL.pdf | |
![]() | CR32474JT | CR32474JT N/A SMD or Through Hole | CR32474JT.pdf |