창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2328DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2328DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 730mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2328DS-T1-GE3TR SI2328DST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2328DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2328DS-, SI2328DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RNCF0603BTE330K | RES SMD 330K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BTE330K.pdf | |
![]() | 67-22 SURSYGC-S530-A3-E3-TR8 | 67-22 SURSYGC-S530-A3-E3-TR8 EVERLIGHT ROHS | 67-22 SURSYGC-S530-A3-E3-TR8.pdf | |
![]() | HS12515 | HS12515 APTMICROSEMI HALFPAK | HS12515.pdf | |
![]() | NAND16GAHOHZA5 | NAND16GAHOHZA5 ORIGINAL SOP | NAND16GAHOHZA5.pdf | |
![]() | CY2292SC-870 | CY2292SC-870 CY SOP-16L | CY2292SC-870.pdf | |
![]() | 71HFR40M | 71HFR40M IR DO-5 | 71HFR40M.pdf | |
![]() | 74HC4050D.653 | 74HC4050D.653 NXP SMD or Through Hole | 74HC4050D.653.pdf | |
![]() | 278057900200B | 278057900200B ELCON SMD or Through Hole | 278057900200B.pdf | |
![]() | A845A | A845A HIT SMD or Through Hole | A845A.pdf | |
![]() | TMS320DRE200PGER16 | TMS320DRE200PGER16 TIS Call | TMS320DRE200PGER16.pdf | |
![]() | FAN2509S25X_NL | FAN2509S25X_NL FAIRCHILD SOT23-5 | FAN2509S25X_NL.pdf |