창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2328DS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2328DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 730mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2328DS-T1-E3TR SI2328DST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2328DS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2328DS, SI2328DS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MIKROE-275 | GSM Whip, Right Angle RF Antenna Connector, SMA Male Connector Mount | MIKROE-275.pdf | ||
OPB801L55 | SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS THRU | OPB801L55.pdf | ||
FFPF08S601SN | FFPF08S601SN FAI TO-220 | FFPF08S601SN.pdf | ||
PEI 2J223 K | PEI 2J223 K HBCKAY SMD or Through Hole | PEI 2J223 K.pdf | ||
SSR40.00DR-S05(40MHZ) | SSR40.00DR-S05(40MHZ) KYOCERA 2X2.5-3P | SSR40.00DR-S05(40MHZ).pdf | ||
MC74F174SJ | MC74F174SJ MC SOP | MC74F174SJ.pdf | ||
SMB30A300-E3/5B | SMB30A300-E3/5B Vishay DO-214AA(SMB) | SMB30A300-E3/5B.pdf | ||
QG82GLPP QK79ES | QG82GLPP QK79ES INTEL BGA | QG82GLPP QK79ES.pdf | ||
42C455S-13A | 42C455S-13A IMP SOP | 42C455S-13A.pdf | ||
T491D157M010ASXK1130 | T491D157M010ASXK1130 KEMET SMD or Through Hole | T491D157M010ASXK1130.pdf | ||
IMC-0603ER6.8NHJ | IMC-0603ER6.8NHJ Vishay SMD or Through Hole | IMC-0603ER6.8NHJ.pdf | ||
893D475X9035C2T | 893D475X9035C2T VISHAY SMD or Through Hole | 893D475X9035C2T.pdf |