Vishay BC Components SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI2316DS-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI2316DS-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 322.47067
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI2316DS-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI2316DS-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI2316DS-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI2316DS-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI2316DS-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI2316DS-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI2316DS
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs50m옴 @ 3.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)800mV @ 250µA(최소)
게이트 전하(Qg) @ Vgs7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds215pF @ 15V
전력 - 최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI2316DS-T1-GE3
관련 링크SI2316DS-, SI2316DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI2316DS-T1-GE3 의 관련 제품
TVS DIODE 220VWM 356VC SMA TV04A221JB-G.pdf
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 69mA SIT3821AC-1B-25NY.pdf
General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 12VDC Coil Socketable KUP93-14D13-12.pdf
RES SMD 0.2 OHM 1% 1/4W 0603 UCR03EVPFLR200.pdf
M64530FP MIT QFP M64530FP.pdf
RC3078T RAY CAN8 RC3078T.pdf
MBR8100DT/R PANJIT TO-263D2PAK MBR8100DT/R.pdf
ESI-7SGR0836M04-T HIT SMD or Through Hole ESI-7SGR0836M04-T.pdf
DF300R12KE3 ORIGINAL SMD or Through Hole DF300R12KE3.pdf
CC473SL1H010FY TDK SMD or Through Hole CC473SL1H010FY.pdf
KGV-10/TSEC GOVTPROP SMD or Through Hole KGV-10/TSEC.pdf
XC33369P MOTOROLA DIP8 XC33369P.pdf