창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2316DS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2316DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 215pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2316DS-T1-E3TR SI2316DST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2316DS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2316DS, SI2316DS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VS-110MT100KPBF | POWER MOD 3PH BRIDGE 110A MTK | VS-110MT100KPBF.pdf | |
![]() | 7447715910 | 1µH Shielded Wirewound Inductor 8.5A 7 mOhm Max Nonstandard | 7447715910.pdf | |
![]() | Y0076V0060QQ0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y0076V0060QQ0L.pdf | |
![]() | MPVZ5010GW7U | Pressure Sensor 1.45 PSI (10 kPa) Vented Gauge Male - 0.22" (5.59mm) Tube 0.2 V ~ 4.7 V 8-DIP Module | MPVZ5010GW7U.pdf | |
![]() | BA707-S | BA707-S ROHM SMD or Through Hole | BA707-S.pdf | |
![]() | BS62LV2001STI-70 | BS62LV2001STI-70 BSI TSSOP | BS62LV2001STI-70.pdf | |
![]() | 455KHz (CDBM455C2) | 455KHz (CDBM455C2) INFNEON SMD or Through Hole | 455KHz (CDBM455C2).pdf | |
![]() | XC2S150PG456 | XC2S150PG456 XILINX BGA | XC2S150PG456.pdf | |
![]() | DT180N12 | DT180N12 INFINEON MOKUAI | DT180N12.pdf | |
![]() | UPD70F3732GC-8EA-A | UPD70F3732GC-8EA-A NEC TQFP100 | UPD70F3732GC-8EA-A.pdf | |
![]() | HA17L432ALTP | HA17L432ALTP Renesas MPAKV | HA17L432ALTP.pdf |