창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2316BDS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2316BDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.66W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2316BDS-T1-E3-ND SI2316BDS-T1-E3TR SI2316BDST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2316BDS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2316BDS, SI2316BDS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 6609036-4 | PWR ENT RCPT IEC320-C14 QC | 6609036-4.pdf | |
![]() | RC0805FR-071K2L | RES SMD 1.2K OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-071K2L.pdf | |
![]() | 9602/CEBJC | 9602/CEBJC ORIGINAL DIP | 9602/CEBJC.pdf | |
![]() | ECLAMP2378K.TC | ECLAMP2378K.TC SEMTECH SMD | ECLAMP2378K.TC.pdf | |
![]() | A0515D-2W = NN2-05D15D | A0515D-2W = NN2-05D15D SANGMEI DIP | A0515D-2W = NN2-05D15D.pdf | |
![]() | CLA61065 | CLA61065 GPS PLCC44 | CLA61065.pdf | |
![]() | MAX122BCWG | MAX122BCWG MAX SOP24 | MAX122BCWG.pdf | |
![]() | XC6201P331TH | XC6201P331TH TOREX TO-92 | XC6201P331TH.pdf | |
![]() | RNC90Y71R500BR | RNC90Y71R500BR VISHAY SMD or Through Hole | RNC90Y71R500BR.pdf | |
![]() | B82422-A1103-K | B82422-A1103-K EPCOS SMD1210 | B82422-A1103-K.pdf | |
![]() | CSC04A01-103G | CSC04A01-103G ORIGINAL SMD or Through Hole | CSC04A01-103G.pdf | |
![]() | GRM40C0G101J50 | GRM40C0G101J50 MURATA SMD0805 | GRM40C0G101J50.pdf |