창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2312BDS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si2312BDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 850mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2312BDS-T1-E3TR SI2312BDST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2312BDS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2312BDS, SI2312BDS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C0603C331F5GACTU | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C331F5GACTU.pdf | |
![]() | R7201406XXOO | DIODE MODULE 1.4KV 600A DO200AB | R7201406XXOO.pdf | |
P0179NL | Unshielded 2 Coil Inductor Array 88.2µH Inductance - Connected in Series 22.1µH Inductance - Connected in Parallel 66.3 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 2.6A Nonstandard | P0179NL.pdf | ||
![]() | J2N3494 | J2N3494 MOT CAN | J2N3494.pdf | |
![]() | MAC220-3 | MAC220-3 ON T0-220 | MAC220-3.pdf | |
![]() | STD5NM50Z | STD5NM50Z ST TO-252 | STD5NM50Z.pdf | |
![]() | CL-197TLY-CD-T | CL-197TLY-CD-T ORIGINAL LED | CL-197TLY-CD-T.pdf | |
![]() | PEEL22CV10A-15 | PEEL22CV10A-15 AMI DIP-24 | PEEL22CV10A-15.pdf | |
![]() | TACK104M020RTA | TACK104M020RTA AVX SMD | TACK104M020RTA.pdf | |
![]() | MW359 | MW359 DENSO QFP | MW359.pdf | |
![]() | ECA1085-18-A8F | ECA1085-18-A8F ORIGINAL TO-263 | ECA1085-18-A8F.pdf |