창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1965DH-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1965DH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 390m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.2nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 120pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1965DH-T1-GE3TR SI1965DHT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1965DH-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1965DH-, SI1965DH-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SDE0604A-1R2M | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 5.3A 20 mOhm Max Nonstandard | SDE0604A-1R2M.pdf | |
![]() | CMF50165K00FKBF | RES 165K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50165K00FKBF.pdf | |
![]() | UPD78F9232MC(T)-5A4-A | UPD78F9232MC(T)-5A4-A NEC SMD or Through Hole | UPD78F9232MC(T)-5A4-A.pdf | |
![]() | kfh8g16u2m-deb6 | kfh8g16u2m-deb6 SAMSUNG BGA | kfh8g16u2m-deb6.pdf | |
![]() | D23C8001EJCZ066 | D23C8001EJCZ066 NEC DIP-32 | D23C8001EJCZ066.pdf | |
![]() | LT1057CN8#PBF | LT1057CN8#PBF LT SMD or Through Hole | LT1057CN8#PBF.pdf | |
![]() | CAT5114V-00 | CAT5114V-00 CAT SOP8 | CAT5114V-00.pdf | |
![]() | 1008HS-331TJBE | 1008HS-331TJBE COILCRAFT SMD or Through Hole | 1008HS-331TJBE.pdf | |
![]() | 3432-5302 | 3432-5302 M SMD or Through Hole | 3432-5302.pdf | |
![]() | PJCF05LC | PJCF05LC PANJit SOT-363 | PJCF05LC.pdf | |
![]() | MM1757E | MM1757E MITSUMI HSOP | MM1757E.pdf |