창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1926DL-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1926DL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 370mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 340mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18.5pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 510mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-3(SOT323) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1926DL-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1926DL-, SI1926DL-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ1808A100KBGAT4X | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A100KBGAT4X.pdf | ||
3386X-1-103LF | 10k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386X-1-103LF.pdf | ||
B39162B4327P810 | FILTER SAW SMD | B39162B4327P810.pdf | ||
103R-561J | 560nH Unshielded Inductor 590mA 278 mOhm Max 2-SMD | 103R-561J.pdf | ||
TRF5901PTR | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 902MHz ~ 928MHz 48-LQFP | TRF5901PTR.pdf | ||
15416889 | 15416889 Delphi SMD or Through Hole | 15416889.pdf | ||
CNR07D270K | CNR07D270K CNR() SMD or Through Hole | CNR07D270K.pdf | ||
LF351N-LF | LF351N-LF STM SMD or Through Hole | LF351N-LF.pdf | ||
AT49BV001NT | AT49BV001NT ATMEL TSOP32 | AT49BV001NT.pdf | ||
K5D1258DCB-A090 | K5D1258DCB-A090 SAMSUNG BGA | K5D1258DCB-A090.pdf | ||
EL2280CS | EL2280CS EL SOP8 | EL2280CS .pdf | ||
B45196P6104M109 | B45196P6104M109 EPCOS SMD or Through Hole | B45196P6104M109.pdf |